2 мосфета = сгоревшая Нано

Тема в разделе "Arduino & Shields", создана пользователем azkobain, 17 окт 2017.

  1. rkit

    rkit Гуру

    А теперь посмотрите на обоих графиках что написано в верхнем углу. Во-первых, их нельзя в лоб сравнивать, потому что они для разных условий. Во вторых, на них нет информации касательно ключевого режима.
     
  2. akl

    akl Гик

    самое простое - посимить в симуляторе. только у меня в лтспайсе нету модельки этого транзистора
     
  3. Unixon

    Unixon Оракул

    До 15А можно про охлаждение даже не думать, от 15А до 30A нужно смотреть за температурой (хз какое там тепловое сопротивление модуль-воздух в итоге), может быть теплый, больше 30A нужно дополнительное охлаждение. Модуль без дополнительного охлаждения может рассеять 1-2Вт, сопротивление канала не более 7мОм.
     
  4. rkit

    rkit Гуру

    И тоже невнимательно. Прямо на странице написано

     
  5. Unixon

    Unixon Оракул

    Перестраховка, чтобы модули не перегревали. AFAIK там ограничение по току указанно по клеммам, оно меньше, чем у самого ключа.
     
  6. AlexU

    AlexU Гуру

    Что за "провод земли" оплавился? Ардуинка в целом может и не работает как надо, но микроконтроллер может и живой?
    В общем, если хотите получить ответ почему у Вас что-то там сгорело, то нужны подродности -- что и как подключали и где-что оплавилось.
    Запомните этот форум и тех кто это говорил и больше их советов не слушайте. 5V -- это нормальное напряжение для открытия такого MOSFET'а. Выводы сделаны на основе доки по ссылкам, приведённых Вами.

    И что касается ответов пользователя 'rkit', пока он писал сообщения вида -- "иди читай учебники" -- он выглядел рядовым спамером, сейчас со своими сообщениями про сотни Ватт на транзисторе -- он выглядит просто "далёким от электроники". Поэтому "гуру" 'rkit' идите учите матчасть и не вводите в заблуждение людей только вступивших на путь познания мира электроники...
     
  7. rkit

    rkit Гуру

    Хорошо, давайте опять объяснять, что мои расчеты были направлены на то, чтобы указать на ошибку в цифрах.
    Заявлено: "на транзисторе в рабочем режиме 60В 15А". Вопрос: сколько ватт рассеивается на транзисторе? Слово другому "гуру"
     
  8. DetSimen

    DetSimen Гуру

    на транзисторе рассеивается I*(R канала в квадрате) не более. Напряжение стока тут вапще нипричом.
     
  9. akl

    akl Гик

    думаю, Рикит просто выступает за точность формулировок. в принципе это неплохо, если не доводить до крайности.
     
  10. AlexU

    AlexU Гуру

    Коллега 'onkel' всё подробно разжевал ранее, а не знаю что тут ещё можно добавить к уже сказанному.
    Все, кто понимает о чём речь, прекрасно поняли суть фразы -- "на транзисторе в рабочем режиме 60В 15А", а кто не понимает, начали писать чепуху про 900 Ватт.
     
  11. rkit

    rkit Гуру

    Это не было написано для того, кто понимает, о чем речь. Это было написано для того, у которого техника сгорела именно из-за того, что он не понимает, как работает транзистор. Для того, кому нужно выстроить четкое понимание, а не в стиле тяп-ляп от самоделкиных: "эта схема полностью подходит, нужно только заменить все элементы, кроме транзистора"
     
    Последнее редактирование: 19 окт 2017
  12. rkit

    rkit Гуру

    Это верно только для омической области ВАХ транзистора. В режиме насыщения сопротивление канала динамическое, и самый простой способ считать мощность - это именно через напряжение сток-исток.
     
  13. DetSimen

    DetSimen Гуру

    Тоись, Ви таки считаете, что в режиме насыщения, ширина канала скачет как шумашедшая, то уменьшаясь, то опять расширяясь? А что же такое есть "режим насыщения" вапще? И что значит, "транзистор полностью открыт"? А почему, если приложено постоянное поле к переходу, то сопротивление канала будет динамическим? За счет каких физических принципов?
     
  14. rkit

    rkit Гуру

    Вот график, все понятно.
    Физических принципов не знаю.


    upload_2017-10-19_10-5-8.png
     
  15. DetSimen

    DetSimen Гуру

    rds.jpg
    Рассеиваемая мощность это потери в самом транзисторе, она зависит только от тока через него и сопротивления канала (которое зависит от температуры, в общем случае). Через транзистор может, допустим, проходить мощность 3 кВт, а на нем будет рассеиваться всего 10. И чем больше транзистор в насыщении (шире канал, по которому несуца заряды) тем большую мощность он через себя протащит и меньше рассеет.
     
  16. rkit

    rkit Гуру

    Вы опять описываете случай для омического региона. У транзистора, кроме омического региона, есть еще режим насыщения, режим отсечки, режим пробоя, и несколько вариантов режима обратного тока. Смотрите на график. На нем четко видно два разных режима.

    Это неправильная формулировка. Мощность проходить не может.
     
    Последнее редактирование: 19 окт 2017
  17. DetSimen

    DetSimen Гуру

    Вопросов больше. Не имею.
     
  18. b707

    b707 Гуру

    AlexU. можете прокомментировать графики. что я приводил в сообщении #60 ? На мой взгляд, все-таки 5в этому транзистору маловато, запаса нет - чуть меньше 5в - уже греться будет. Или мои выводы неправильны?
    Опыт в электронике не большой...
     
  19. rkit

    rkit Гуру

    На этом графике он всегда будет греться, кроме самых слабых токов(нижней границы графика), потому что график приведен для Vds = 10.
     
  20. azkobain

    azkobain Нерд

    ТС в здании) Извините за вброс темы и отсутствие комментариев, схем - на данный момент доступа к плате и коду нет, в субботу плотно сядем разбираться. Не разводите, пожалуйста, срач, мне были важны все ваши комментарии. Действительно, полного понимания работы транзисторов пока нет, форсированно разбираюсь, опираясь пока на Свореня "Шаг за шагом". Также действительно, что на данный момент задача разобраться с текущей проблемой стоит примерно на одном уровне с задачей научиться строить грамотные схемы, совершенно нет желания в духе "сделайте за меня". Поэтому, повторюсь, все ваши комментарии мне очень помогают (по советам с параллельного форума заказал осциллограф=) ), поэтому спасибо вам большое за советы и конструктивную критику. В субботу постараюсь выложить схемы и результаты измерений, проверок и изменений
     
    issaom нравится это.