mosfet транзистор и пин ардуино, какой резистор нужен?

почитаю конечно. Спасибо.

значит не разобрался( а жаль...

как работает шим знаю по картинкам в интернете. Какая частота шим никогда не интересовался, так как RGB светодиод, который подключен к ШИМу плавно включается и выключается. Сервопривод тоже работает без проблем. Я же говорю, узнаю новое только по необходимости. Никогда раньше не изучал токи. Учусь в ютубе.

 

В программе есть настройки таймера, этих сведений вполне достаточно.
Расчет частоты ШИМ легко нагуглить.

Вот бедная молодежь... А я сначала в школе учился... Потом еще...

 

35 лет)) чем я в школе занимался))) видать не физикой)... в институте направление другое было.
А сейчас ютуб и остается

 

Кому как... А я вот почти 40 лет назад первый раз паяльник в руки взял...
По мне ютуб - далеко не лучший учитель, это место скорее для показов готового.
Лучше на профильных форумах ползать, пусть даже без регистрации.
Литературы сейчас куча в электронном виде.

 

Заканчивай. Читай лучше учебники.

 

Ну я не намного тебя старше, но за промежуток времени - от школы и до сегодня - набрался знаний раз в тысячу больше, чем в школе.

 

Чтобы ёмкость затвора набирала или отдавала заряд. )))

К стати затвор не вполне конденсатор, или не просто конденсатор.

Судя по Fig 6 и Fig 13a http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf напряжение на затворе растёт не как на конденсаторе.

Для точных рассчётов следует использовать заряд затвора Q. Тем более, что для напряжение 5 Вольт и менее график Fig 6 не доходит до полки Qgd оставаясь на склоне Qgs.

 

Полка - это и есть эффект Миллера.

 

На графике показана зависимость заряда от приложенного напряжения. Но никак не наоборот.

 

))) ну да! Обратная зависимость из графика ника не прослеживается? От чего тогда заряд по оси абсцисс отложен?

Из-за полки как раз только заряд однозначно определяет напряжение. При 5 с хвостиком вольт ( на уровне полки ) заряд от напряжения не зависит в пределах от 20 до 60 нКл.

 

О. Статейка для чайников http://www.nutsvolts.com/questions-and-answers/mosfet-basics



интересно, что в фазе 2 ток через транзистор растёт пропорционально уменьшению сопротивления, в итоге напряжение не меняется.

 

По закону Ома можно найти сопротивление цепи, но предположение о том, что сопротивление цепи прямо пропорционально приложенному напряжению, в корне не верно. Здесь ситуация похожая.

Эффект наблюдается из-за появления потенциала на стоке при начальном открытии транзистора. Этот потенциал каким-то образом формирует заряд на емкости затвор-сток. Но я здесь буксую и просто этот эффект принимаю как данность.
Приведенный тобой график показывает зависимость выходного тока и напряжения сток-исток от напряжения на затворе. Говорить о том, что на полке Миллера напряжение не растет из-за чего-то там - мы здесь этого не видим. Может в этот момент ручку не крутят. А время тикает =)

 

Закон Ома:
R=k*V; где k=1/I = const.

Математика вещь упрямая. Если по закону Ома напряжение меняется, а ток не меняется, значит меняется сопротивление. Это же идеальный источник тока! И такие есть в природе. Тот же биполярный транзистор.

Тут же Vgs=q(t)/C(Vds)
Напряжение с Vds падает (точнее его уменьшают регулятором на смеме Fig 13b), паразитная ёмкость затвора C возрастает (смотри Fig 5 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf). И хотя заряд q со временем увеличивается, напряжение Vgs некоторое время остаётся постоянным.

 

Я тебе про то, что омическое сопротивление материала не зависит от приложенного напряжения и тока. А ты мне опять про Фому.

Ну подключу я затвор к ДнепроГЭС. Что будет с напряжением?
Постоянное - на самом деле в рамках погрешности измерения. На деле это очень пологий склон.

 

Более внятная статья на тему измерения заряда затвора и паразитных ёмкостей. Там есть пояснение относительно схемы Fig 13b http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3205.pdf.

Ёмкостная модель MOSFET:




Установка для тестирования.



https://electronics.stackexchange.c...e-miller-plateau-region-during-mosfet-turn-on

Знакомая диаграмма, но без времени, а конкретно зависимость от заряда затвора Qg.



Как понимаю на стоке транзистора внешним источником (Current regulator) выставляют некоторое стабилизированное напряжение Vds.
Затем подают заряд на затвор. Напряжение на затворе растет до Vth, сопротивление канала уменьшается и появляется ток стока Id.
Продолжаем подавать заряд и увеличиваем напряжение дальше, например до 4.2 вольт. Ток Id растет ( Vds стабилизировано, поэтому не меняется ).

На следующей диаграмме (обычно это Fig 1 и Fig 2 в даташите ) это красная стрелка А.



Теперь делаем вид, что на нагрузке напряжение VL наконец начало расти, поэтому на Vds его уменьшаем внешним регулятором ( это естественно - напряжение питания Vcc = VL + Vds ) до 1 Вольта.
Уменьшение напряжения Vds сопровождается увеличением ёмкости затвора и поэтому при постоянном напряжении Vgs течет ток затвора, который "подливает" заряд. ( Этот ток может создавать неприятности ).
Сопротивление канала Rds уменьшается почти пропорционально уменьшению напряжения. Ток почти не меняется. Это стрелка B.
Если гонять напряжение Vgs туда-сюда, заряд с переменой ёмкости затвора будет создавать переменный ток затвора.
Далее снова увеличиваем напряжение на затворе поддерживая постоянный ток через канал внешним регулятором. Я так думаю, что напряжение Vds на верхнем графике должно стать меньше 1, но там видно что то напутали, потому как занулили его ещё в фазе В.

 

Еще как зависит. Возьми диод, например. Почему у него ВАХ нелинейная? Потому что увеличение напряжения ведёт к уменьшению сопротивления и ток растёт быстрее чем в резисторе.

Да и резистор. Чем сильнее ток, тем сильнее он греется, и от этого растёт сопротивление.

Наконец, любой диэлектрик при определённом напряжении становится проводником - электрический пробой происходит.

 

Да. В других даташитах есть наклон. В противном случае процесс был бы нестабильным, с какими то резкими скачками. Так что заряд затвора q и напряжение Vgs тут тоже пропорциональны, хотя напряжение слабо зависит от заряда. Зато заряд сильно зависит от Vgs. В истоке может возникнуть ток, когда не ждали, например при подключении нагрузки.

 

вчера с мультиметром прозванивал и рисовал схему https://robotdyn.ru/catalog/relays-switches/transistor_dc_relay_5v_logic_dc_24v_30a/
в интернете не нашел. Применяют еще оптопару для защиты МК и диод.

 

http://arduino.ru/forum/apparatnye-voprosy/problema-podbora-mosfet-tranzistora
вот тут нашел все что хотел.
И про ШИМ и про сопротивление... советуют ставить не более 150Ом.
"""TerminusMKB, при 125 омах и уровне 5 вольт с контроллера ток уже не может быть выше 40ма, так что более 125 ом нет смысла ставить. Но есть смысл ставить менее, если у вас высокая частота переключения при мощной нагрузке. """"

И все таки надо задуматься о покупке осциллографа. Если жена не выгонит со всеми этими схемами и проводами)

 

ну вот и как это понимать? http://wiki.amperka.ru/схемотехника:транзисторы

Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:



это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET, позволяет управлять очень мощными компонентами.


столько противоречий