Ребят, кто сталкивался сс проблемой . в экспериментах с транзистором выходит какая-то лажа. Он проводит ток без напряжения на базе. я собираю схема, которая должна показать, как транзистор открывает проход при подаче на базу напряжения, а в итоге получаю, что диод ярко светит даже без напряжения на базе, а при подаче напряжения светить начинает еще ярче. В книге написано нужен аналог транзистора 2N2222, но в наборе его нет и что мне делать?
Зачем? Я все по инструкции сделал. Мне нужно пояснение что не так с этой схемой по книге от людей, которые этот эксперимент делади
ничего страшного, просто я теорию какую-никакую по транзисторам читал и примерно понимаю куда и зачем сопротивления. просто тут у меня ситуация такая, что транзистор без базы подключенной проводит- вот что меня удивляет. да если я вместо 12 В включу 6 на него- то все как надо работает, но в книге-то написано 12 и все эксперементы через 12 В идут- не порядок. вот я и спрашиваю как мне такое понимать?- я все-таки учусь и такие не состыковки меня в ступор вводят
А если его отпаять, то как тестером прозванивается коллектор-эмиттер? И допустимое напряжение коллектор-эмиттер для него выше, чем подаваемое (если иначе имеют право работать в режиме электрического пробоя - не теплового! правда из маломощных широкого применения я не видел с допустимым напряжением ниже 20 в)? И как прозваниваются база-эмиттер и база-коллектор в обоих направлениях (утечки для кремния в обратную сторону не допустимы!)? Да и ограничте ток базы резистором - ведь на них падение около 0,7 в база-эмиттер для полного открытия - управляется током. Не разрывайте в процессе работы цепь коллектора - иначе возрастает ток базы (работает как диод база-эмиттер). Ну считайте сами по току базы и току коллектора через коэфицент усиления. Возьмите КТ315 (маломощный) или КТ805(мощный) - да что под руки попадётся - во втором случае допустимый ток больше чем только для светодиода через резистор. Не забудьте резистор в цепь базы от 1 кОм (через него будете подавать напряжение для открывания) - ну это от того сколько подавать будете - всё равно напряжение база-эмиттер до 0,7 в.
я эксперимент не делал, но в курсе радиотехники нам говорили, что транзистор с висящей базой подключать нельзя, потому что сгорит нахрен, с ненулевой вероятостью. Потом объясняли, вычисляя процессы с учетом подвижности, эффективной массы носителей, уровней легирования и пр. параметров физики транзистора. Понимание происходящего - оно как бы не в нулевом приближении, потому что в нулевом приближении он не проводит, в первом (hji модель четырехпроводника) тоже не проводит, а уже на уровне физики понятно почему. Собственно ответ и кроется в понимании работы транзистора, в физике, что я вряд ли могу изложить лучше чем в вики, куда вас и отсылаю. Но в общем - висящая база представляет собой обратно смещенный pn переход с бесконечным сопротивлением, и любая эм наводка наводит достаточное для открывания транзистора напряжение.
Ни в коем случае не пытаюсь спорить простите. Но коли нет тока база-эмиттер - он в практике закрыт. Про обрыв в цепи коллектора (я говорил по моему так) - у нас в работе только p-n переход база-эмиттер - ну разумеется если приложено напряжение на базу по отношению к эмиттеру. А про ток базы я говорил, точнее имел ввиду скажем входное сопротивление - где участвуют коэфицент передачи ток коллектора и ток базы (это не мои слова, да ещё входные и выходные характеристики). Потому и сказал об ограничении тока базы резистором. Я не знаю, что за схема в реальности и ни в коем случае мысли не имел о чём-то, но хотел просто помочь (похоже зря - за что и прошу прощения). В моей практике были случаи с обрывом нагрузки в цепи коллектора - отсюда и высказывания. Про физические свойства - носителей заряда ну и моделирование работы я не помышлял. Так-же около 20 лет назад по недоумию своему КТ315 применял в относительно высоковольтной схеме, где в рабочем режиме он "просаживал" напряжение до нормы, но не предполагал, что он еще и бывает в работе полностью закрыт и случай был похожий на ваш. И тогда он был заменён на КТ940А. Простите меня ещё раз! С глубоким уважением!
отнюдь Так вот если вы померяете электрометром (высокоомным вольтметром) напряжение на висящей базе, вы увидите 0.7 В относительно эмиттера. Вот я и намекнул, что висящая база не означает что напряжение база - эмиттер равно нулю. конечно, h модель представления транзистора верна, но в пределах своих (изв. за тавтологию) пределов, при токах выше тепловых и обратного тока коллектора. При висячей базе обратный ток коллектора приводит к току h21e*jcr, у старых транзисторов низкий h21e, но высокий jcr, у современных низкий jcr, но высокий h21e - это если описывать моделью четырехполюсника. Ну а физика - наведенным в базу зарядам нужно куда - то стекать, при бесконечном сопротивлении любое эм возмущение наводит достаточное напряжение, вот мы ток коллектора и имеем. да нет проблем, я видимо резковато написал, но это случайно. Ясен пень каждый человек может спрашивать что угодно у кого угодно и всегда прав, неправ может быть только неправильно отвечающий. Аналогично с уважением к желающим докопаться до сути.
Уже редактирую (для последующего сообщения): Вообще-то по "правилам хорошего тона" всегда предполагал что(если этого не делает предыдущий каскад): - для полевых транзисторов MOSFET ставится резистор затвор-исток во избежание "накопления потенциала" (зряда - разности затвор-исток) на затворе. - для биполярных резистора база-эмиттер для формирования "запретной зоны" p-n перехода коллектор-база. - для радиолампы "запорный потенциал" на сетке - некий тоже делитель по отношению к катоду - для полевых не с изолированным затвором - закрыть чем-то какнал С моей стороны - ФЛУД! Простите - все кто читает! (Потому сообщаю - что ожидаю ответа в темах: "Raspberry - про Bluetooth" и "Arduino - тоже про Bluetooth" - может ответит кто) - Больше не буду!