Здравствуйте. Я новичек в электронике. Изучаю задания. Вот схема пульсар: http://wiki.amperka.ru/конспект-arduino:пульсар Подскажите, пожалуйста, правильно ли я рассуждаю. Я измерял в схеме пульсар ток между диодами и коллектором при значении brightness=255. Поучилоь примерно 100 мА. Т.е. максимальный ток через коллектор 100 мА. Соглано спецификации на транзистор из комплекта bc337-40, коэффициент усиления Hfe=250. Получается, что бы транзистор пропустил ток в 100 мА необходимо подать на базу: I = 100 / 250 = 0.4 мА. Т.е. необходимое сопротивление в цепи базы должно быть: 5 / 0.0004 = 12500 Ом. Таким обазом, правильно ли я понимаю, что могу без ущерба для схемы пульсар заменить резистор базы на 10 кОм, что дало бы ток 0.5 мА? И при этом получилась бы более эффективная по энергопотрелению схема, т.к. тогда рассеиваемая на резисторе мощность была бы: P = 5 * 0.0005 = 0.0025 Вт. А при сопротивлении в 1 кОм ток базы I = 5 / 1000 = 0.005 А И тогда рассеиваемая мощность будет: P = 5 * 0.005 = 0.025 Вт. Верно ли я понял суть? Описание транзистора нашел здесь: http://alltransistors.com/ru/transistor.php?transistor=22957 Отличный конструктор. Спасибо!
Спасибо за ответ. А вы не могли бы чуточку более развернуто ответить? Я все же новичек. Пока туго въезжаю.
Картинка должна помочь, но цифры в Вашем случае могут не много отличаться (особенно падение напряжения база-еммитер). А так в целом ход мыслей в правильном направлении...
Это самый предел возможного. В продолжительном режиме мало что выдержит. На предложенной схеме такого не будет.
Спасибо за ответы. Правильно ли я понял, что речь о том, что на pn переходе тоже есть падение напряжения и оно составляет (как подсказал Андрей) порядка 0.7 вольт и его тоже нужно учитывать при расчете ограничивающего ток базы резистора? Т.е. необходимое сопротивление в цепи базы должно быть: (5 - 0.7) / 0.0004 = 10750 Ом. И в итоге в любом случае подойдет резистор на 10 кОм. И в остальном мои заключения верны? Этот резистор использовать эффективней? Или я еще что-то упустил?
Еще нужно смотреть на разброс hfe в зависимости от тока коллектора, а также индивидуальный разброс характеристик от транзистора к транзистору. Или просто взять ток базы с запасом 50%. Потому что это всё равно крохоборство.
Если точнее - напряжение на переходе зависит от протекающего тока и от температуры, но не только от этого. При комнатной температуре напряжение увеличивается примерно на 25 мВ при изменении тока в 2.7 раза (ток экспоненциально зависит от напряжения, соответственно напряжение от тока - логарифмически), но для таких схем примитивный расчет (постоянное напряжение на переходе) допустим - нужно только чтобы при минимально возможном коэффициенте усиления ток базы был достаточен.
Цифра из документации на транзистор BC337 (Vbe max). Причём у разных производителей этот параметр одинаковый. Но этот рисунок скорее для понимания и в пояснениях было сказано: Что бы точно ответить на эти вопросы нужно знать вольт-амперную характеристику перехода база-эммитер. Если есть желание поэкспериментируйте...
Похоже я понял суть. Нужно смотреть на граничные значения коэффициентов, так же возможны температурные колебания. В общем нужно делать запас по току. Тогда сопротивление в 10 кОм уже возможно не позволит открыть транзистор на столько что бы провести нужный ток. Т.к. это слишком близко к границе. Подошел бы резистор например на 4.7 кОм. Но его в наборе нет. Поэтому был использован на 1 кОм. Теперь все становится на свои места. Спасибо за поддержку
