Доброго дня, уважаемые. Растолкуйте, пожалуйста, в чём принципиальная разница между приведёнными схемами н-моста и почему везде изображается именно левая(с нагрузкой на коллекторах)?
Правая - это эмиттерные повторители. Напряжение на базе очень сильно зависит от нагрузки. В схеме с ОЭ (левая картинка) такой проблемы нет.
В полярности транзисторов. Если вы не понимаете транзисторов, то вам сперва нужно изучить их. Без понимания лезть в более сложные вещи бесполезно.
Вообще-то H-мост прелестно строится и на однотипных транзисторах. Я, если требуется, делаю на NPN (дело привычки)... Управление даже упрощается...
Дело в достигаемой степени насыщения транзисторов. Чем меньше напряжения остаётся на открытом транзисторе - тем меньше он греется, тем больше достается нагрузке. Особенно актуально при малых напругах питания. В левой схеме нагрузке достанется около 0,1 - 4,9 = 4,8 вольт. А в правой 0,8 - 4,2 = 3,4 вольт. Взято за исходники - Напряжение на "хорошо открытом ОБЫЧНОМ транзисторе" около. 0,1 вольт, напряжение на базовом переходе 0,7 вольт. Но при этом, правым мостом легко управлять - достаточно 2-х линий, и не сделаешь К. З. питания.