Диод Зенера в MOSFET-транзисторах

А причем тут режим пробоя? Шунтирующий диод на индуктивность в противоположной полярности включается, анодом к стоку транзистора, а встроенный паразит - катодом. Паразит в транзисторе не может замкнуть на себя ток контура индуктор-диод, он для этого не так в схему включен.

 

да вроде как противоположной полярности и стоит, паразит.

 

На графическом обозначении транзистора иногда рисуют вместо обычного диода диод Зенера. Если бы напряжение пробоя этого зенера лежало ниже напряжения пробоя канала, он мог бы шунтировать ток и напряжение самоуиндукции тем самым защищая канал от разрушения. Но такой подход выглядит нерационально.

 

Эту ситуацию легко смоделировать зашунтировав транзистор стабилитроном с заведомо меньшим напряжением пробоя. В результате, пропущенный стабилитроном импульс, хоть и ослабленный, пойдет в шину питания, что не есть хорошо.

 

во простой такой вопрос - ставить или не ставить с очевидным ответом растянули...
Про паразита вот Семенов что пишет, он правильными источниками пользуется

В справочной документации по полевым транзисторам MOSFET в символическом обозначении транзистора часто встречается символ диода, включенного параллельно цепи «сток—исток», как показано на рис. 2.1.1.

очень похоже на упомянутый диод, и в подавляющем большинстве случаев в силовых преобразовательных схемах существует необходимость шунтирования транзисторов быстрыми диодами. Но, к сожалению, в данном случае появление диода связано с технологией изготовления мощных «полевиков». Почему — к сожалению? Потому, что характеристики этого паразитного диода, называемого integral reverse p-njunction diode (интегральный обратный диод р-п-перехода), применительно к использованию в схемах преобразовательных устройств оставляют желать лучшего. Другими словами, встроенный диод оказывается слишком медленным, поэтому приходится затрачивать дополнительную энергию на его закрывание, что ведет к нагреву транзистора в целом.

Ведущие мировые производители элементной базы постоянно ведут небезуспешную борьбу за улучшение характеристик быстродействия обратных диодов, и их влияние становится все менее заметным, однако подавляющее большинство выпускаемых на сегодняшний момент полевых транзисторов все еще имеют паразитные диоды с достаточно большим временем обратного восстановления. Кстати, на самом деле встроенный диод получается из технологического биполярного транзистора, включенного параллельно силовым электродам полезного полевого транзистора так, как показано на рис. 2.1.2.

 

Это общие сведения. Из конкретных данных я посмотрел пару даташитов и не нашел там данных о работе диода в режиме пробоя. Выходит, что практической пользы от этого диода нет.

 

Конечно, никакой практической пользы нет, один вред, и обязательно нужно знать о его существовании чтобы влететь в режим сквозных токов.